Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-247AC
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 110 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 55 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 8 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-247AC
Produktbeschreibung
MOSFET
Produktangebot
2,11 €
2,51 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 2 Tage
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043899541
