Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 327 A 341 W, 3-Pin TO-247AC
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 327 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 40 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 2 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 2.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-247AC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 327 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 341 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 20.7mm
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043875248
