Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Drain-Source-Widerstand max.

33 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V