Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,3 A 82 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,3 A 82 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: INFINEON
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF630NPBF

Produkt-Nr.: P-CCJPBR

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 9,3 A
Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 35 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 82 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 35 nC @ 10 Vmm
Diodendurchschlagsspannung = 1.3V