Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 65 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 25 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 70 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247AC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 65 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 25 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 330 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 70 nC @ 10 Vmm
Höhe = 20.3mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043522012
