Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 50 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 40 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 234 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 20.3mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 234 nC @ 10 Vmm
Höhe = 20.3mm
Produktangebot
3,52 €
4,19 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 1 Tage
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043735252
