Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

Name: Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFP4668PBF

Produkt-Nr.: P-CGT3HZ

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 130 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 161 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Höhe: 20.7mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 130 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 520 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Höhe = 20.7mm