Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 83 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 150 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 15 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045587958
