Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 105 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 150 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 7
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 105 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
