Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin TO-220AB

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9,7 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Drain-Source-Widerstand max.

200 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

25 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

TO-220AB