Zum Hauptinhalt springen

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin TO-247AC

INFINEON Logo

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFP3710PBF

Produkt-Nr.: P-CGPSBY

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+175 °Cmm
Betriebstemperatur min.
-55 °CV
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
57 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
25 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 57 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 25 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °CV

Produktangebot

2,25 €

2,68 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 Tage
Zustand: Neu
Garantie: 12 Monate

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045907879