Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 124 A Direkte FET, große Dose
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 124 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Gehäusegröße
- Direkte FET, große Dose
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 124 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = Direkte FET, große Dose
Montage-Typ = THT
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
