Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 124 A Direkte FET, große Dose

Technische Daten

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

124 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

Direkte FET, große Dose

Montage-Typ

THT