Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 260 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 260 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 75 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 260 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
