Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Erweiterung / 15 A 81 W, 8-Pin AG-EASY1B

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

114mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

15A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

81W