Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 9 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 256 K x 8 Praktisch unbegrenzte Lebensdauer von 10 Trillionen (1013) Lese-/Schreibzyklen 121 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI) Bis zu 50 MHz Frequenz Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1) Ausgeklügeltes Schreibschutzschema Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP) Softwareschutz mit Schreibsperre (WRDI) Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array Geräte-ID und Seriennummer Geräte-ID umfasst Hersteller-ID und Produkt-ID Eindeutige ID Seriennummer Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM Dedizierter spezieller Sektor zum Schreiben und Lesen Der gespeicherte Inhalt kann bis zu 3 Standard-Reflow-Lötzyklen überstehen Geringer Stromverbrauch 3,7 mA (typ.) Wirkstrom bei 40 MHz 2,7 μA (typ.) Standby-Strom 1,1 μA (typ.) Deep-Power-Down-Mode-Strom 0,1 μA (typ.) Hibernate Mode Strom Niederspannungsbetrieb: CY15V102QN: VDD = 1,71 V bis 1,89 V CY15B102QN: VDD = 1,8 V bis 3,6 V Fahrzeugbetriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C. AEC-Q100 Klasse 1-konform 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)