Infineon F3L6MR N-Kanal Quad, THT MOSFET 2000 V / 155 A AG-EASY2B
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 4
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 155 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 2000 V
- Montage-Typ
- THT
- Serie
- F3L6MR
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 155 A
Drain-Source-Spannung max. = 2000 V
Serie = F3L6MR
Montage-Typ = THT
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 4
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
