Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 238 A 789 W, 7-Pin PG-TO263-7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

8.5mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

179nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

23 V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

238A

Maximale Betriebstemperatur

175°C