Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247

Name: Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMW65R030M1HXKSA1

Produkt-Nr.: P-CCRZRD

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 58 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,042 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V
Gehäusegröße: TO-247
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Transistor-Werkstoff: Silicon

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 58 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,042 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Transistor-Werkstoff = Silicon