Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 53 A, 4-Pin TO-247-4

Name: Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 53 A, 4-Pin TO-247-4
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMZA65R030M1HXKSA1

Produkt-Nr.: P-CCPTBX

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 53 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,042 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V
Gehäusegröße: TO-247-4
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 4
Transistor-Werkstoff: Silicon

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 53 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,042 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1