Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 50 A, 4-Pin TO-247-4

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,05 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

5.7V

Gehäusegröße

TO-247-4

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4