Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A, 4-Pin TO-247-4

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,142 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

5.7V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Serie

CoolSiC

Transistor-Werkstoff

Silicon