Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 50 A 227 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

64mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

33nC

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

227W