Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 8-Pin PG-HSOF-8
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 36 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
- Serie
- CoolSiC MOSFET 650 V G1
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC MOSFET 650 V G1
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
