Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET N-Kanal, THT MOSFET 2000 V / 89 A, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 89 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 2000 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 89 A
Drain-Source-Spannung max. = 2000 V
Gehäusegröße = PG-TO247-4-PLUS-NT14
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
