Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 109 A 446 W, 4-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 17mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 240nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 109A
Produktbeschreibung
Das Infineon Design von Cool MOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie überhaupt mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mm.Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET