Infineon CoolMOS S5 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

79 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

TO-247