Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A 278 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

37,9 A

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

99 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V