Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 77,5 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,041 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- CoolMOS™
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 77,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,041 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
