Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 111 A, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

111 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,018 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Serie

CoolMOS™

Transistor-Werkstoff

Silicon