Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A, 4-Pin TO-247-4

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

76 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,037 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Serie

CoolMOS™