Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 50 A, 3-Pin TO 263

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,04 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Serie

CoolMOS™