Infineon CoolMOS CSFD N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 360 A, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 360 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS CSFD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,024 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2

Der Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 in 600 V ist ideal für resonante Topologien in Hochleistungs-SMPS, wie Server-, Telekommunikations- und EV-Ladestationen, geeignet, wo er erhebliche Effizienzverbesserungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie kommt es mit reduzierter Gate-Ladung, verbessertem Abschaltverhalten und bis zu 69 % reduzierter Rückgewinnungsladung im Vergleich zu Mitbewerbern.Ultraschnelle Gehäusediode Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr) Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit