Infineon CoolMOS CSFD N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 236 A, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

236 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,037 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3