Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

18 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

45 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Serie

CoolMOS™ C7