Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 109 A, 3-Pin TO-247

Name: Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 109 A, 3-Pin TO-247
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPW60R017C7XKSA1

Produkt-Nr.: P-CCL6L4

Technische Daten

Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 109 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,017 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Serie: CoolMOS™ C7
Transistor-Werkstoff: Si

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 109 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = CoolMOS™ C7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,017 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der CoolMOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC) Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit bis 120 V/ns Erhöhte Schaltfrequenz