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Infineon CoolMOS™ C6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77 A 481 W, 3-Pin TO-247

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPW60R041C6FKSA1

Produkt-Nr.: P-CCRYGT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
77 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
41 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.
2.5V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 77 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C6
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 481 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 290 nC @ 10 Vmm
Höhe = 21.1mm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045874812