Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 227 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Drain-Source-Widerstand max.

290 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

88 nC bei 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V