Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 41 W, 3-Pin TO-220

Name: Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 41 W, 3-Pin TO-220
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: SPA11N80C3XKSA1

Produkt-Nr.: P-CCJK6N

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 11 A
Drain-Source-Spannung max.: 800 V
Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 64 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 41 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 64 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3