Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247

Name: Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: SPW20N60C3FKSA1

Produkt-Nr.: P-CCDYFT

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 21 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 87 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Höhe: 20.95mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 208 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 20.95mm