Infineon CoolGaN N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12,5 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,19 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

1.6V

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Serie

CoolGaN