Infineon AIK Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung 326 W, 7-Pin PG-TO263-7

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Durchlassspannung (Vf)

1.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

108nC

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Kabelkanaltyp

Typ N

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

326W