Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 63 A, 8-Pin PG-HSOF-8
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 63 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
- Serie
- 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 63 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
