Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin
Technische Daten
- Abmessungen
- 22.51 x 10.26 x 1.05mm
- Adressbusbreite
- 16bit
- Anzahl der Bits pro Wort
- 16bit
- Anzahl der Wörter
- 1M
- Betriebstemperatur min.
- –40 °Cmm
- Gehäusegröße
- TSOP
- Höhe
- 1.05mm
- Low Power
- Ja
- Montage-Typ
- SMD
- Organisation
- 1 MB x 16 bit
Produktbeschreibung
SRAM
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- SRAM
- GTIN
- 5059045468981