HY Electronic Corp IGBT-Modul / 20 A ±20V max., 1200 V 156 W, 22-Pin N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 62.8 x 34 x 12mm
- Betriebstemperatur min.
- –40 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 20 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Dreiphasenbrücke
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 22
- Transistor-Konfiguration
- 3-phasig
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Verlustleistung max. = 156 W
Konfiguration = Dreiphasenbrücke
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 22
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 62.8 x 34 x 12mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
IGBT-Module, HY Electronic. Diese Serie von IGBT-Module von HY Electronic wird in Industriestandard-Gehäusen mit Lötstiften für die Leiterplattenmontage geliefert. Geeignete Anwendungen für diese IGBT-Module umfassen Wechselrichter für Motorantriebe, AC- und DC-Servoantriebsverstärker und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Merkmale der HY Electronic IGBT-Module: Trench IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Niedrige Schaltverluste 10 us Kurzschlussfestigkeit Schnelle und weiche Umkehr-Erholzeit Temperaturerfassung im Lieferumfang enthalten
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059045442691
