Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -80 V / -175 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.012Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 153nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- ±20 V
- Gehäusegröße
- PowerPAK (8x8L)
- Kabelkanaltyp
- P-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- -175A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET