Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 5.4 A 4 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.082Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.9nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±20 V

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5.4A

Maximale Betriebstemperatur

175°C