Vishay SQJ190 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 19,6 A, 4-Pin PowerPAK
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 19,6 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Gehäusegröße
- PowerPAK
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 4
- Transistor-Werkstoff
- Si
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerPAK
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Si
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
