Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 3,1 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 3,1 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,2 Ω
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- IPAK (TO-251)
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040918955