Vishay N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 14 A, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

14 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3