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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,5 A 60 W, 3-Pin TO-220FP

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFIB6N60APBF

Produkt-Nr.: P-CCJNRJ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
5,5 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
750 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
49 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-220FP

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040892354